تعتزم شركة سامسونج الكورية الجنوبية للإلكترونيات بدء إنتاج رقائق الذاكرة عالية النطاق من الجيل السادس HBM4 اعتبارا من شهر فبراير المقبل، لتلبية احتياجات شركتي إنفيديا وAMD من هذه التقنية الحيوية في تطوير معالجات الذكاء الاصطناعي.
وقالت الشركة في بيان، إن هذه الخطوة تأتي بعد اجتياز اختبارات الجودة النهائية، ما يمهد الطريق لدمج هذه الرقائق في منصة Rubin القادمة من إنفيديا، والتي من المتوقع الكشف عن تفاصيلها خلال مؤتمر GTC القادم.
ويعتمد تصنيع الرقائق الجديدة على تقنية DRAM بدقة 10 نانومتر، مع دمج تقنيات متقدمة في منطق التحكم لرفع سرعة نقل البيانات إلى أكثر من 11 جيجابت في الثانية، بما يواكب الطلب المتزايد على الحوسبة الفائقة.
وفي هذا الإطار، أبرمت سامسونج شراكة تقنية مع شركة “TSMC” لتطوير طبقة التحكم (Logic Die)، بما يضمن أعلى درجات التوافق مع المعالجات المتقدمة.
ومن المتوقع أن يساهم هذا الإنتاج في تنويع سلاسل التوريد، وتقليل الاعتماد على موردين محددين، في ظل التوقعات بنمو سوق ذواكر الحزمة العريضة المستخدمة في الحوسبة المتقدمة ومعالجات الذكاء الاصطناعي ليصل إلى نحو 54.6 مليار دولار بنهاية عام 2026.
